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偽靜態(tài)隨機存儲器芯片（Psram）

PSRAM采用的是1T+1C的技術(shù),所以在體積上更小,
同時,PSRAM的I/O接口與SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。
比較于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。
由SPI、Quad SPI (QPI) 和Octal SPI (OPI)幾種串行接口，用于需要小型化的場合，
能夠提供帶寬范圍從100Mbps ~ 2.128Gbps的大范圍。

EMI
ISSI

安徽偉凌創(chuàng)芯微電子有限責任公司是一家以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注于利基市場（Niche market）專用芯片/小型SOC芯片及整體解決方案，第一代產(chǎn)品涉及千兆/萬兆USB網(wǎng)口芯片以及音視頻接口芯片。提供創(chuàng)新、高品質(zhì)、高性價比、供貨持續(xù)穩(wěn)定的芯片，并通過提供軟硬件Turnkey solution，降低客戶研發(fā)難度，縮短客戶量產(chǎn)時程。產(chǎn)品領(lǐng)域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡(luò)可視化、信息化、信息安全、大數(shù)據(jù)分析、智能語音、應用展現(xiàn)、特種通信和智能建筑等。

Part Name	Density	Org.	Temp.	Vcc(V)	Speed	Package	PDF
EMI164NA16LM-70I	64Mb	4M x 16	C,I	2.7~3.6	60,70	48BGA	聯(lián)系我們
EMI164LA16LM-70I	64Mb	4M x 16	C,I	1.7~1.95	60,70	48BGA	聯(lián)系我們
EMI132NA16LM-70I	32Mb	2M x 16	C,I	2.7~3.3	60,70	48BGA	聯(lián)系我們
EMI132LA16LM-70I	32Mb	2M x 16	C,I	2.7~3.3	60,70	48BGA	聯(lián)系我們
EMI116NA16LM-70I	16Mb	1M x 16	C,I	2.7~3.3	60,70	48BGA	聯(lián)系我們
EMI116LA16LM-70I	16Mb	1M x 16	C,I	2.7~3.3	60,70	48BGA	聯(lián)系我們
EMI108NA16LM-70I	8Mb	512K x 16	C,I	2.7~3.3	60,70	48BGA	聯(lián)系我們
EMI108LA16LM-70I	8Mb	512K x 16	C,I	2.7~3.3	60,70	48BGA	聯(lián)系我們

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