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快閃存儲器芯片（NAND FLASH）

一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器
其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案
Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快

ISSI專門設計、開發(fā)、銷售高性能存儲半導體產(chǎn)品，用于Internet存儲器件、網(wǎng)絡設備、遠程通訊和移動通訊設備、計算機外設等。以下產(chǎn)品為NAND FLASH，屬于快閃存儲器芯片。產(chǎn)品容量為4Gb，工作電壓范圍為1.8~3.3V，提供48-TSOP的封裝形式，工作溫度范圍在-40°C~85°C。我司可根據(jù)客戶不同的產(chǎn)品需求推薦性價比高且實用的產(chǎn)品。

型號	容量	位寬	電壓(V)	Ecc Requirement	Squential Read Speed (ns)	溫度范圍	封裝	PDF
IS34ML04G081	4Gb	X8	3.3V	1-bit	25	-40°C~85°C	48-TSOP	聯(lián)系我們
IS34ML04G084	4Gb	X8	3.3V	4-bit	25	-40°C~85°C	48-TSOP	聯(lián)系我們
IS34MW04G084	4Gb	X8	1.8V	4-bit	45	-40°C~85°C	48-TSOP	聯(lián)系我們
IS34MW04G164	4Gb	X16	1.8V	4-bit	45	-40°C~85°C	48-TSOP	聯(lián)系我們

備注：如需了解更多關于產(chǎn)品資訊，請聯(lián)系我們 0755-2372 3970，我們竭誠為您服務。

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