在使用MCU的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，當(dāng)程序或者數(shù)據(jù)內(nèi)存占用太大而無(wú)法放入片上閃存或SRAM時(shí)，開(kāi)發(fā)者通?？紤]使用SDRAM。
 
SDRAM是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的縮寫(xiě)。在微控制器應(yīng)用中，微控制器通過(guò)使用外部存儲(chǔ)控制器(EMC)操作訪問(wèn)SDRAM ，SDRAM時(shí)鐘頻率通常為100MHz或133MHz。
 
外部存儲(chǔ)控制器通常不支持DDR SDRAM, 數(shù)據(jù)只是單邊沿采樣，即并行數(shù)據(jù)總線可以接受一個(gè)命令并在每個(gè)時(shí)鐘周期傳輸一個(gè)數(shù)據(jù)字。
 
在SDRAM中執(zhí)行程序是使用SDRAM的一種典型用法, 這里就介紹一下SDRAM中執(zhí)行程序的方法和SDRAM執(zhí)行程序的性能基準(zhǔn)。
 
SDRAM必須在使用前進(jìn)行配置，SDRAM初始化分為6個(gè)步驟。
 
1、配置EMC寄存器的SDRAM時(shí)鐘頻率、字節(jié)順序和時(shí)序參數(shù)。
SDRAM的時(shí)序比較復(fù)雜，用戶需要通過(guò)查閱相關(guān)SDRAM芯片的手冊(cè)獲得時(shí)序參數(shù)(如刷新周期、預(yù)充電命令周期、自刷新退出時(shí)間、寫(xiě)恢復(fù)時(shí)間等等)。
2、發(fā)送NOP命令
3、發(fā)送預(yù)充電命令
4、發(fā)送兩次自動(dòng)刷新命令
5、設(shè)置SDRAM模式
6、發(fā)送正常運(yùn)行命令
 
系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)，SDRAM尚未初始化。理論上，程序在系統(tǒng)啟動(dòng)后的任何時(shí)刻都可以進(jìn)行SDRAM初始化。然而，由于SDRAM初始化過(guò)程比較復(fù)雜，使用的系統(tǒng)資源較多，SDRAM初始化必須在所需的系統(tǒng)資源初始化完成后再進(jìn)行。
 
具體上講，開(kāi)發(fā)者在芯片剛剛啟動(dòng)時(shí)(如Reset_Handler中)初始化SDRAM需要留心以下細(xì)節(jié)：
 
由于SDRAM初始化函數(shù)使用系統(tǒng)堆棧或全局變量，開(kāi)發(fā)者必須確保系統(tǒng)堆?；蛉肿兞克诘奈锢韮?nèi)存上電及時(shí)鐘使能。
 
在程序跳轉(zhuǎn)到主程序啟動(dòng)之前，全局變量未清零或初始化，如果在主函數(shù)之前執(zhí)行SDRAM初始化，開(kāi)發(fā)者必須手動(dòng)初始化變量。

本文關(guān)鍵詞：MCU,SRAM,SDRAM

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