關(guān)于手機(jī)內(nèi)存標(biāo)稱(chēng)容量和實(shí)際容量不一致的話題再次引起了廣泛關(guān)注。那么這些數(shù)碼產(chǎn)品的標(biāo)稱(chēng)存儲(chǔ)容量和實(shí)際存儲(chǔ)容量為何會(huì)有差別呢?下面存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子簡(jiǎn)單敘述一下關(guān)于存儲(chǔ)芯片壞塊的存在。
 
存儲(chǔ)芯片壞塊的存在
存儲(chǔ)芯片的種類(lèi)五花八門(mén)，存儲(chǔ)芯片分為易失性存儲(chǔ)芯片（RAM）和非易失性存儲(chǔ)芯片（NVM）。
 
其中，易失性存儲(chǔ)芯片又稱(chēng)隨機(jī)存取記憶體，即它在任何時(shí)候都可以讀寫(xiě)。不過(guò)，當(dāng)電源關(guān)閉后，易失性存儲(chǔ)芯片不能保留數(shù)據(jù)，如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫(xiě)入到一個(gè)長(zhǎng)期的存儲(chǔ)器中，如硬盤(pán)。
 
目前，易失性存儲(chǔ)芯片分為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）。他們之間的不同在于生產(chǎn)工藝的不同。SRAM保存數(shù)據(jù)是靠晶體管鎖存的，而DRAM保存數(shù)據(jù)靠電容充電來(lái)維持。SRAM讀寫(xiě)速度快，生產(chǎn)成本高，多用于容量較小的高速緩沖存儲(chǔ)器，而DRAM讀寫(xiě)速度較慢，集成度高，生產(chǎn)成本低，多用于容量較大的主存儲(chǔ)器。
 
與易失性存儲(chǔ)芯片相對(duì)應(yīng)的是非易失性存儲(chǔ)芯片。這類(lèi)儲(chǔ)存芯片當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的存儲(chǔ)器，我們口中常稱(chēng)的內(nèi)存就是這類(lèi)芯片。
 
Nor Flash和Nand Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存芯片，Nand flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單，Nand結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。同時(shí)由于Nand Flash 擦除速度遠(yuǎn)高于Nor Flash，因此Nand Flash在大容量存儲(chǔ)領(lǐng)域應(yīng)用更加廣泛，比如U盤(pán)、SSD固態(tài)硬盤(pán)和eMMC存儲(chǔ)器里面的主要存儲(chǔ)單元等都是應(yīng)用的Nand Flash。
 
由于生產(chǎn)工藝及結(jié)構(gòu)的原因，NAND Flash不能保證每個(gè)存儲(chǔ)單元是好的，無(wú)法避免的會(huì)產(chǎn)生壞塊，這些無(wú)效塊無(wú)法確定編程時(shí)的狀態(tài)，就是大家常說(shuō)的“壞塊”。
 
之前某些廠家也有做過(guò)消除壞塊的努力，但是效果都不理想，壞塊是隨機(jī)產(chǎn)生的，因此廠家并不能完全控制可用存儲(chǔ)塊的容量。
 
“壞塊”會(huì)占據(jù)一部分NAND Flash的存儲(chǔ)空間，這樣就會(huì)出現(xiàn)128GB的標(biāo)稱(chēng)存儲(chǔ)容量，實(shí)際可使用的空間就只有112G的容量可以做文件存儲(chǔ)使用。


關(guān)鍵詞： DRAM SRAM