SoC有基于應(yīng)用程序的內(nèi)存。這些存儲(chǔ)器是用于計(jì)算的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器塊。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器通常是指在單個(gè)硅片上制造的金屬氧化物半導(dǎo)體存儲(chǔ)器單元。內(nèi)存類型包括:
 
易失性存儲(chǔ)器:斷電后會(huì)丟失數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。它們需要恒定的電源來(lái)保存信息。易失性存儲(chǔ)器更快、更便宜，這也是被大眾所接受的原因。
 
RAM是一種易失性存儲(chǔ)器。最常用的RAM是SRAM和DRAM。SRAM由1、3或6個(gè)晶體管組成的存儲(chǔ)單元組成。相反DRAM只有一個(gè)MOSFET和一個(gè)根據(jù)FET狀態(tài)進(jìn)行充放電的電容。然而DRAM容易受到電容泄漏電流的影響。DRAM的一個(gè)顯著優(yōu)點(diǎn)是它比SRAM便宜。如果一個(gè)SoC有一個(gè)緩存層次結(jié)構(gòu)，SRAM被用于緩存，DRAM被用于主存儲(chǔ)器。這是因?yàn)榕c主存相比，高速緩存需要更快的內(nèi)存類型。
 
也有專為非易失性函數(shù)設(shè)計(jì)的RAM類型。例如FRAM和MRAM，它以磁性狀態(tài)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，PRAM(參數(shù)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，它在Macintosh計(jì)算機(jī)中用于存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)置，包括顯示和時(shí)區(qū)設(shè)置。還有RRAM(電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，它有一個(gè)叫做記憶電阻的組件。記憶電阻是一種電阻，其電壓隨所施加的電壓而變化。
 
非易失性記憶:即使在沒(méi)有電源的情況下也能保留信息的記憶。ROM(只讀存儲(chǔ)器)是一種非易失性存儲(chǔ)器。ROM的類型包括EPROM(可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)，它是一組浮動(dòng)?xùn)啪w管。紫外線可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(紫外線可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)，用紫外光擦除并重新編程數(shù)據(jù)，EEPROM(電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)和閃存。
 
選擇的內(nèi)存類型取決于設(shè)計(jì)規(guī)范和應(yīng)用程序。
 

關(guān)鍵詞：SRAM