Flash存儲器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲器 ,Flash存儲器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高電壓即可進(jìn)行電可擦除和重復(fù)編程,成本低及密度大,因而廣泛用于嵌入式系統(tǒng)中。

與RAM 不同的是,Flash存儲器除了具有一些典型的存儲器故障類型外,還會出現(xiàn)一些其它的故障類型，例如 NOR類型的Flash還會出現(xiàn)以下主要故障類型:
 
(1) 柵極編程干擾 (GPD)和柵極擦除干擾(GED)，對一個(gè)存儲單元的編程操作引起同一字線上的另外單元發(fā)生錯(cuò)誤的編程或擦除操作。
 
(2)漏極編程干擾和漏極擦除干擾:對一個(gè)存儲單元的編程操作引起同一位線上的另外單元發(fā)生錯(cuò)誤的編程或擦除操作。
 
(3)讀干擾:對一個(gè)存儲單元的讀操作引起對該單元的錯(cuò)誤編程。
 
(4) 過度擦除(OE):對存儲單元的過度擦除將會導(dǎo)致對該存儲單元的下一次編程不起作用,從而無法得到正確的操作結(jié)果。
 
上面幾種類型的干擾故障一般發(fā)生在Flash 存儲器同一行或者同一列的單元之間,利用內(nèi)存Flash故障的理論模型6，可以選擇應(yīng)用適合Flash存儲器測試的March算法,并且可以對這些算法進(jìn)行對比與評估7,例如一種Match A算法可表示為:

 
這種March A 測試算法能夠覆蓋SAF (Stuck-At Faults),DPD,DED,RD,OE和幾乎所有的 GPD,GED 故障。其算法復(fù)雜度可以表示為11xP+4xR ,其中P和R分別表示一次編程和讀取操作,N表示存儲器的存儲容量(字?jǐn)?shù))。
 

關(guān)鍵詞：Flash