靜態(tài)RAM的基本構(gòu)造塊是SRAM存儲(chǔ)單元。通過(guò)升高字線的電平觸發(fā)存儲(chǔ)單元，再通過(guò)位線對(duì)所觸發(fā)的存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀出或?qū)懭?。在靜態(tài)CMOS存儲(chǔ)器中，存儲(chǔ)單元陣列將會(huì)占去整個(gè)存儲(chǔ)器芯片面積的一半以上，在一些大容量的SRAM中，這個(gè)比例還要更大一些。因而減小存儲(chǔ)單元的面積變得尤為重要。
 
在存儲(chǔ)器中有大量的存儲(chǔ)元，把它們按相同的位劃分為組，組內(nèi)所有的存儲(chǔ)元同時(shí)進(jìn)行讀出或?qū)懭氩僮?，這樣的一組存儲(chǔ)元稱為一個(gè)存儲(chǔ)單元。一個(gè)存儲(chǔ)單元通?？梢源娣乓粋€(gè)字節(jié)；存儲(chǔ)單元是CPU訪問(wèn)存儲(chǔ)器的基本單位.
 
從結(jié)構(gòu)上分，CMOS SRAM 存儲(chǔ)單元有電阻-晶體管結(jié)構(gòu)（4T-2R 存儲(chǔ)單元）和靜態(tài)六管全互補(bǔ)結(jié)構(gòu)（6T 存儲(chǔ)單元）。
     
4T-2R 存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)器并非完全意義的CMOS 電路，它們的存儲(chǔ)單元往往選用同一溝道的晶體管，而在外圍電路的實(shí)現(xiàn)中采用了CMOS 電路；與6T 單元10 高速低功耗SRAM的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)相比，采用單一溝道的存儲(chǔ)單元不但會(huì)減少工藝的復(fù)雜度，而且能有效的減小芯片面積，這主要是因?yàn)椴恍枰~外的面積來(lái)隔離N-well 或P-well。
 
六管存儲(chǔ)單元采用了一根單一的字線、一根位線和一根反相的位線?；榉聪嗟膬筛痪€通常稱為 bit和bit_。單元中包括了一對(duì)交叉耦合的反相器，并且每根位線連接了一個(gè)存取晶體管。一對(duì)互補(bǔ)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在交叉耦合的反相器上。如果數(shù)據(jù)受到輕微的干擾，由回路構(gòu)成的正反饋將使數(shù)據(jù)恢復(fù)到VDD或GND。

Vilsion常用串行SRAM型號(hào)表

型號(hào)	容量	位寬	電壓(V)	速度(MHz)	接口	溫度	封裝	包裝	狀態(tài)
VTI7064LSM	64Mbit	8M x 8	1.8	104	SQI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7064LSM	64Mbit	8M x 8	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7064MSM	64Mbit	8M x 8	3	104	SQI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7064MSM	64Mbit	8M x 8	3	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7032LSM	32Mbit	4M x 8	1.8	133	SQI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7032LSM	32Mbit	4M x 8	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7016LSM	16Mbit	2M x 8	1.8	133	SQI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7016LSM	16Mbit	2M x 8	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7001NSM	1Mbit	128K x 8	3.3	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7001LSM	1Mbit	128K x 8	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7512NSM	512Kbit	64K x 8	3.3	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7512LSM	512Kbit	64K x 8	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7256NSM	256Kbit	32K x 8	3.3	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7256LSM	256Kbit	32K x 8	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7128LSM	128Kbit	16K x 8	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP
VTI7128NSM	128Kbit	16K x 8	3.3	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP

關(guān)鍵詞：SRAM