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Flash 儲存器介紹

來源: 日期:2018-02-06 15:31:47

FLASH存儲器又稱為閃存,是一種長壽命的非易失性的存儲器,在斷電情況下仍能保留所存儲的數(shù)據(jù)信息,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。因為其斷電時仍能保存數(shù)據(jù),閃存通常被用來保存設(shè)置信息,如在電腦的BIOS(基本輸入輸出程序)、PDA(個人數(shù)字助理)、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等。另一方面,閃存不像RAM(隨機(jī)存取存儲器)一樣以字節(jié)為單位改寫數(shù)據(jù),因此不能取代RAM。它結(jié)合了ROM和RAM的長處,不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)的性能,還不會斷電丟失數(shù)據(jù)同時可以快速讀取數(shù)據(jù)(NVRAM的優(yōu)勢),U盤和MP3里用的就是這種存儲器。在過去的20年里,嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM(EPROM)作為它們的存儲設(shè)備,然而近年來Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系統(tǒng)中的地位,用作存儲Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤使用(U盤)。
 
  Flash 儲存器的特點
 
 
  1、Flash 儲存器的標(biāo)準(zhǔn)物理結(jié)構(gòu),稱之為基本位(cell);一般MOS閘極(Gate)和通道的間隔為氧化層之絕緣(gate oxide),而Flash 儲存器的特色是在控制閘(Control gate)與通道間多了一層稱為“浮閘”(floaTIng gate)的物質(zhì)。拜這層浮閘之賜,使得Flash 儲存器可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式;就算在不提供電源給內(nèi)存的環(huán)境下,也能透過此浮閘,來保存數(shù)據(jù)的完整性。
 
  2、Flash 儲存器芯片中單元格里的電子可以被帶有更高電壓的電子區(qū)還原為正常的1。Flash 儲存器采用內(nèi)部閉合電路,這樣不僅使電子區(qū)能夠作用于整個芯片,還可以預(yù)先設(shè)定“區(qū)塊”(Block)。在設(shè)定區(qū)塊的同時就將芯片中的目標(biāo)區(qū)域擦除干凈,以備重新寫入。傳統(tǒng)的EEPROM芯片每次只能擦除一個字節(jié),而Flash 儲存器每次可擦寫一塊或整個芯片。Flash 儲存器的工作速度大幅領(lǐng)先于傳統(tǒng)EEPROM芯片。
 
   3、從技術(shù)面觀之,根據(jù)內(nèi)存晶體管設(shè)計架構(gòu)之不同可分為Cell Type以及OperaTIon Type兩種,后者依功能別又可區(qū)分為Code Flash(儲存程序代碼)以及Data Flash(儲存一般數(shù)據(jù));其中Code Flash驅(qū)動方式有NOR及DINOR,而Data Flash的驅(qū)動方式則有NAND及AND。


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