雖然鐵電存儲(chǔ)器以寫入周期快而聞名，但不能保證它最終會(huì)占上風(fēng)。這是因?yàn)镸RAM、FERAM和ReRAM等多種新型內(nèi)存技術(shù)都在競(jìng)相取代SRAM、NOR閃存和DRAM等現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)。
 
    MRAM相對(duì)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手具有重大優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槠渥x取速度在不久的將來“可能會(huì)與”DRAM速度相媲美。自旋軌道扭矩和壓控磁各向異性等新技術(shù)也減少了MRAM的寫入延遲，使其成為有朝一日可能取代DRAM的主要候選技術(shù)之一。
 
    然而，從DRAM過渡到持久內(nèi)存的一大障礙是制造成本。雖然DRAM的生產(chǎn)成本相對(duì)較低，但持久性內(nèi)存可能需要數(shù)年時(shí)間才能在價(jià)格方面變得具有競(jìng)爭(zhēng)力。
 
    阻礙持久內(nèi)存采用的另一個(gè)問題是它目前使用NOR閃存和SRAM接口而不是DDR。然而，這種情況在未來可能會(huì)改變，因?yàn)?ldquo;任何內(nèi)存技術(shù)都沒有與任何類型的總線緊密耦合的天生特征。


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