MRAM是一種非易失性存儲技術(shù)，可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。 MRAM具有近乎無限的耐久性及高可靠性，是能夠滿足電子應(yīng)用程序中這種市場需求的非易失性存儲器，

    非易失性存儲器即使在電源關(guān)閉時也能保留信息，有望顯著降低汽車、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用中半導(dǎo)體集成電路的功耗。目前，自旋電子學(xué)被用作非易失性存儲器。基于該技術(shù)的自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻存儲器（STT-MRAM）的商業(yè)化正在取得進展。

 

    該存儲器采用鈷鐵硼（CoFeB）層夾在氧化鎂（MgO）層之間的結(jié)構(gòu)，作為存儲數(shù)據(jù)的磁隧道結(jié)（MTJ）元件的存儲層。該器件的數(shù)據(jù)保留特性取決于垂直磁各向異性和元件尺寸，這種結(jié)構(gòu)滿足1Xnm一代汽車半導(dǎo)體集成電路所需的數(shù)據(jù)保留特性。