預(yù)測(cè)2031年的新興存儲(chǔ)器的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到440億美元，可以是獨(dú)立的存儲(chǔ)芯片，也可以是微控制器、ASIC甚至計(jì)算處理器中的嵌入式存儲(chǔ)器，它將取代包括NOR閃存、SRAM和DRAM在內(nèi)的現(xiàn)有存儲(chǔ)器。
 
新興存儲(chǔ)器將創(chuàng)造自己的新市場(chǎng)，并在其中占據(jù)巨大的競(jìng)爭優(yōu)勢(shì)。這個(gè)市場(chǎng)不僅包括存儲(chǔ)器制造商和晶圓代工廠，還包括SoC設(shè)計(jì)人員和用戶，他們已經(jīng)在設(shè)計(jì)中采用這些新型非易失性存儲(chǔ)器，以實(shí)現(xiàn)更低的功耗和更高的系統(tǒng)響應(yīng)能力。
 
新興存儲(chǔ)器的收入增長的部分原因是需要新的工具來支持不同的材料和工藝，而這又將拉動(dòng)資產(chǎn)設(shè)備市場(chǎng)的增長。例如MRAM制造設(shè)備2031年的總收入將是2020年總收入(1000萬美元)的100多倍，達(dá)到11億美元；獨(dú)立MRAM和STT-RAM收入將增長到約17億美元，為2020年獨(dú)立MRAM收入的42倍。而嵌入式MRAM將加入到與嵌入式ReRAM的競(jìng)爭中，以取代SoC中的大部分嵌入式NOR和SRAM。
 
由于NOR閃存和SRAM的性能已觸頂，因此MRAM和ReRAM市場(chǎng)增長的大好機(jī)會(huì)將來自SoC。MRAM SoC已經(jīng)開始出貨，而ReRAM SoC也即將問世。
 
STT MRAM之所以具有吸引力并得到采用是由于MRAM和STT-RAM工藝與傳統(tǒng)的CMOS工藝兼容，因?yàn)檫@些存儲(chǔ)器可以直接采用CMOS邏輯晶圓制造。因此MRAM最有可能替代NOR閃存和SRAM，因?yàn)殚W存與傳統(tǒng)CMOS不兼容；而且與SRAM相比，非易失性和更簡單的MRAM和STT MRAM更加節(jié)能。盡管MRAM具有市場(chǎng)增長潛力，但并非所有廠商都能幸存下來享受戰(zhàn)果。
 
推動(dòng)MRAM向前發(fā)展的除了代工廠還有存儲(chǔ)器制造商，這將使MRAM逐漸取代SRAM和NOR閃存，因?yàn)樗鼈兡軌蜃屝酒S邏輯而縮小。終有一天MRAM的價(jià)格會(huì)下降，很多應(yīng)用都不會(huì)再因其成本高昂而卻步。

關(guān)鍵詞： NOR閃存,SRAM