Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用。NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，并且寫入和擦除的速度也很快。
 
NAND Flash 的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)
 
大多數(shù)的NAND Flash都大同小異,所不同的只是該NAND Flash芯片的容量大小和讀寫速度等基本特性。
 
塊Block 是 NAND Flash 的擦除操作的基本/最小單位。頁是讀寫操作的基本單位。
 
每一個(gè)頁,對應(yīng)還有一塊區(qū)域,叫做空閑區(qū)域/冗余區(qū)域,而在 Linux系統(tǒng)中﹐一般叫做OOB(Out Of Band)[2]。這個(gè)區(qū)域最初基于NAND Flash 的硬件特性﹐數(shù)據(jù)在讀寫時(shí)候相對容易出錯(cuò)﹐所以為了保證數(shù)據(jù)的正確性,必須要有對應(yīng)的檢測和糾錯(cuò)機(jī)制,此機(jī)制被叫做EDC /ECC。所以設(shè)計(jì)了多余的區(qū)域﹐用于放置數(shù)據(jù)的校驗(yàn)值。OOB的讀寫操作一般是隨著頁的操作一起完成的,即讀寫頁的時(shí)候,對應(yīng)地就讀寫了OOB。OOB的主要用途:標(biāo)記是否是壞塊﹐存儲(chǔ)ECC數(shù)據(jù)﹐存儲(chǔ)一些和文件系統(tǒng)相關(guān)的數(shù)據(jù)。
 
NAND Flash的接口控制設(shè)計(jì)
 
由于NAND Flash只有8個(gè)I/O引腳,而且是復(fù)用的,既可以傳數(shù)據(jù)﹐也可以傳地址、命令。設(shè)計(jì)命令鎖存使能(Command Latch Enable，CLE)和地址鎖存使能( Ad-dress Latch Enable，ALE)，就是先要發(fā)一個(gè)CLE(或ALE)命令,告訴NAND Flash 的控制器一聲,下面要傳的圖1NAND Flash控制電路是命令(或地址)。這樣NAND Flash內(nèi)部才能根據(jù)傳入的內(nèi)容﹐進(jìn)行對應(yīng)的動(dòng)作。相對于并口的NOR Flash 的48或52個(gè)引腳來說,大大減小了引腳數(shù)目,這樣封裝后的芯片體積小。同時(shí)減少了芯片接口﹐使用此芯片的相關(guān)的外圍電路會(huì)更簡化,避免了繁瑣的硬件連線。
   
 
 
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