ISSI IS62WV102416DALL，IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS16Mbit靜態(tài)RAM，組織為1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。IS62WV102416DBLL和IS65WV102416DBLL封裝在48引腳TSOP（I型）中。
 
主要特點
•高速訪問時間：45ns，55ns。
•CMOS低功耗操作
–25µA（典型值）CMOS待機
•CMOS以實現(xiàn)最佳速度和功率以及TTL兼容接口級別
•單電源
–1.65V?1.98VVDD
（IS62/65WV102416DALL）
–2.2V?3.6VVDD
（IS62/65WV102416DBLL）
•完全靜態(tài)操作：無需時鐘或刷新
•工業(yè)和汽車溫度支持
 
 
48引腳TSOP-I

 
功能說明
sram是隨機存取存儲器之一。每個字節(jié)或字都有一個地址，可以隨機訪問。SRAM支持三種不同的模式。每個功能在下面的“真值表”中進行了描述。
 
待機模式
取消選擇時，設(shè)備進入待機模式。輸入和輸出引腳（I/O0-15）處于高阻抗狀態(tài)。根據(jù)輸入電平，此模式下的電流消耗為ISB1或ISB2。此模式下的CMOS輸入將最大程度地節(jié)省功率。
 
寫模式
選擇芯片時且寫使能輸入LOW時的寫操作問題。輸入和輸出引腳（I/O0-15）處于數(shù)據(jù)輸入模式。即使為LOW，在此期間輸出緩沖區(qū)也會關(guān)閉。并啟用字節(jié)寫入功能。通過啟用LOW，來自I/O引腳（I/O0至I/O7）的數(shù)據(jù)被寫入該位置。在地址引腳上指定。處于低電平時，來自I/O引腳（I/O8至I/O15）的數(shù)據(jù)被寫入該位置。
 
讀取模式
選擇芯片時，寫使能（WE）輸入為高，則發(fā)生讀操作問題。為低時，輸出緩沖器打開以進行數(shù)據(jù)輸出。不允許在讀取模式下對I/O引腳進行任何輸入。并啟用字節(jié)讀取功能。通過啟用LOW，來自存儲器的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在I/O0-7上。處于低電平時，來自內(nèi)存的數(shù)據(jù)將出現(xiàn)在I/O8-15上。
 
在讀取模式下，可以通過拉高來關(guān)閉輸出緩沖器。在此模式下，內(nèi)部設(shè)備作為READ操作，但I/O處于高阻抗狀態(tài)。由于設(shè)備處于讀取模式，因此使用有功電流.
 
框圖