美國(guó)ISSI存儲(chǔ)器公司的主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM芯片。該公司還設(shè)計(jì)和銷售NOR閃存存儲(chǔ)器產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號(hào)集成電路。近年來對(duì)復(fù)雜半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的需求已從個(gè)人計(jì)算機(jī)市場(chǎng)擴(kuò)展到了汽車，通信和數(shù)字消費(fèi)以及工業(yè)和醫(yī)療市場(chǎng)。這些存儲(chǔ)產(chǎn)品需要增加內(nèi)存內(nèi)容，以幫助處理大量數(shù)據(jù)。介紹一款I(lǐng)SSI具有ECC的1Mx8高速異步SRAM的一些特征方面知識(shí).
 
ISSI IS61/64WV10248EDBLL是非常高速，低功耗的1M字乘8位高速異步SRAM。IS61/64WV10248EDBLL采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造，這種高度可靠的工藝技術(shù)與創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)相結(jié)合，可生產(chǎn)出性能更高且功耗更低的器件。當(dāng)CE為高電平（取消選擇）時(shí)，器件采用待機(jī)模式，在該模式下可以通過CMOS輸入電平來降低功耗。
 
IS61/64WV10248EDBLL采用單電源進(jìn)行供電，所有輸入均兼容TTL。IS61WV10248EDBLL采用48球微型BGA（6mmx8mm）和44引腳TSOP（II型）封裝。

功能框圖
 

 
特征
•高速訪問時(shí)間：8、10、20ns
•高性能，低功耗CMOS工藝
•多個(gè)中心電源和接地引腳，增強(qiáng)了抗噪能力
•通過CE和OE選項(xiàng)輕松擴(kuò)展內(nèi)存
•CE掉電
•完全靜態(tài)操作：無需時(shí)鐘或刷新
•TTL兼容輸入和輸出
•可用軟件包：
–48球mini BGA（6mmx8mm）
–44引腳TSOP（II型）
•工業(yè)和汽車溫度支持
•無鉛
 
 
引腳配置