隨著SOC 技術(shù)的迅猛發(fā)展，由電池供電的便攜式電子產(chǎn)品得到了廣泛應(yīng)用，如智能手機、運動手環(huán)、ipad、部分汽車電子等。近年來半導(dǎo)體工藝已進(jìn)入深亞微米甚至納米階段，工藝尺寸不斷縮小，但是由于電池技術(shù)的緩慢發(fā)展以及芯片散熱技術(shù)的不完善等導(dǎo)致功耗成為SOC 急需要解決的重要問題。而靜態(tài)隨機存儲器SRAM 是SOC 的重要組成部分，且其占芯片總面積的比例越來越大。而芯片功耗大小直接影響到電池的使用壽命。
 
低功耗SRAM的功耗來源主要包括三部分：動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗、短路功耗，功耗與電源電壓有著直接的關(guān)系，動態(tài)功耗與電源電壓成二次方關(guān)系，靜態(tài)功耗和短路功耗與電源電壓成一次方關(guān)系，因此降低電源電壓能夠給SRAM 帶來大幅度的功耗降低。由于傳統(tǒng)的6管存儲單元在電源電壓降低時會出現(xiàn)可靠性變差、寫能力不足、甚至讀寫錯誤的缺陷，新型10 管存儲單元，獨特的電路結(jié)構(gòu)決定了它可以工作在低電源電壓下。為了說明存儲單元的性能優(yōu)越。
 

代理商VTI SRAM低功耗

型號	位寬	容量	溫度	電壓(V)	速度(ns)	C/S Option	封裝
VTI508NL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	1C/S	44TSOP2
VTI508NL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	1C/S	48BGA
VTI508HB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	2C/S	48BGA
VTI508HB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	2C/S	44TSOP2
VTI508NB16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	48BGA
VTI508NB16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	44TSOP2
VTI508NB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	48BGA
VTI508NB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	44TSOP2
VTI508HB16	512K x 16	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	2C/S	48BGA
VTI508HL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	1C/S	48BGA
VTI508HL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	1C/S	44TSOP2

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