靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM由于是利用觸發(fā)器電路作為存儲(chǔ)單元，只要不切斷其供電電源，它就能永遠(yuǎn)保存所寄存的數(shù)據(jù)信息。因此. SRAM與通常的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM 不同.不需要刷新操作.控制相對(duì)簡(jiǎn)單許多。
 
鑒于SRAM這一獨(dú)列的特點(diǎn)， 它廣泛地應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，諸如產(chǎn)業(yè)、民間、通信、測(cè)試、計(jì)算機(jī)以及網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)等領(lǐng)域。隨著移動(dòng)電話(huà)的普及應(yīng)用，在移動(dòng)通信領(lǐng)域里也急需大暈的SRAM器件。
 
SRAM器件系列分類(lèi)
SRAM用途不同，可把SRAM分成如下3大系列產(chǎn)品:①低消耗電流為主要特點(diǎn)的低消耗電力版SRAM(即所謂中速SRAM);②以高速工作為主要特點(diǎn)的高速版SRAM;③同步SRAM,顧名思義，使它與時(shí)鐘信號(hào)同步工作，追求更高速度，詳細(xì)情況可參閱SRAM產(chǎn)品，系列分類(lèi)圖(圖1所示)。
   
為了使SRAM在低電壓工作并實(shí)現(xiàn)低消耗電流,存儲(chǔ)器單元電路(MemoryCl)也開(kāi)始由大電阻作為負(fù)載電阻的4管MOS電路轉(zhuǎn)向利用有源負(fù)載的6管MOS電路，詳見(jiàn)圖2所示。但是6管MOS存儲(chǔ)單元因有源器件用6個(gè)，占用芯片面積較大。
   
此外，隨著半導(dǎo)體精細(xì)加工工藝技術(shù)進(jìn)步，在SRAM內(nèi)部實(shí)際工作的電壓和外部施加的電壓之間形成電壓差值。為解決這一問(wèn)題，今后必須引入降壓電路。由于要求低消耗電流，降壓電路里的電流也不允許過(guò)大.
 
如何選擇SRAM
基于上述的介紹，現(xiàn)已了解到SRAM按照用途可以分為三大類(lèi)系列。而且.在各個(gè)系列產(chǎn)品里，按照存儲(chǔ)容量、供電電壓、存取速度、消耗電流和封裝結(jié)構(gòu)又細(xì)分為各種各樣的具體產(chǎn)品。那么究竟如何從中選擇出適用的器件呢?作為SRAM器件用戶(hù),首先要確認(rèn)這些器件的性能規(guī)范和能否穩(wěn)定的提供貨源(包括是否第二來(lái)源};在此基礎(chǔ)之上再根據(jù)實(shí)際應(yīng)用情況，選取適用的器件.
 
SRAM器件規(guī)范按照多種用途向多樣化方向發(fā)展.今后這種傾向也將愈來(lái)愈明顯。從用戶(hù)方面觀(guān)察,需要探討的課題便是如何從形形色色的SRAM產(chǎn)品中選購(gòu)出所需要的最佳器件。然而從器件生產(chǎn)廠(chǎng)家觀(guān)察，需要研究的課題就更多一些，諸如，確定適應(yīng)多樣化需要的器件產(chǎn)品規(guī)范、產(chǎn)品系列和如何調(diào)用新技術(shù)把器件產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)商品化。
 
 
 
 VTI SRAM