當(dāng)我們使用的電腦運(yùn)行過(guò)程中比較卡的時(shí)候，可以通過(guò)給電腦加裝內(nèi)存條來(lái)改善電腦的性能。我們可以給單片機(jī)外加和內(nèi)存條效果一樣的SRAM芯片來(lái)提升單片機(jī)的性能。下面以STM32單片機(jī)來(lái)講解一下來(lái)擴(kuò)展外部SRAM。
 
原理：給STM32芯片擴(kuò)展內(nèi)存與給PC擴(kuò)展內(nèi)存的原理是一樣的，只是PC上一般以內(nèi)存條的形式擴(kuò)展，內(nèi)存條實(shí)質(zhì)是由多個(gè)SRAM芯片組成的通用標(biāo)準(zhǔn)模塊，而意法半導(dǎo)體MCU STM32直接與SRAM芯片連接。
 
SRAM型號(hào)IS62WV51216，管腳圖如下：
   
IS62WV51216的管腳總的來(lái)說(shuō)大致分為：電源線、地線、地址線、數(shù)據(jù)線、片選線、寫(xiě)使能端、讀使能端和數(shù)據(jù)掩碼信號(hào)線。
 
ISSI  IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位靜態(tài)RAM，組織為512K字乘16位。它是使用ISSI公司高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，可以生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。
 
當(dāng)CS1為HIGH（取消選擇）或CS2為L(zhǎng)OW（取消選擇）或CS1為L(zhǎng)OW，CS2為HIGH且LB和UB均為HIGH時(shí)，器件將處于待機(jī)模式，在該模式下可通過(guò)CMOS輸入降低功耗水平。
 
使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴(kuò)展存儲(chǔ)器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲(chǔ)器的寫(xiě)入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許訪問(wèn)高字節(jié)（UB）和低字節(jié)（LB）.



關(guān)鍵詞：SRAM  STM32   外擴(kuò)SRAM